而为了3nm芯片的量产，三星投入了500多亿美元，按照三星公布的数据，最近三年以来，三星在晶圆厂这一块的投入高达800多亿美元了，也就是5000多亿元人民币。

近日，欧洲传来一则重磅消息：FAMES FD-SOI试验线公开招募基于10nm和7nm ...

IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES ...

欧洲领先的技术试验线之一正在公开征集基于全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术的下一代 10nm 和 7nm 设计项目。 FD-SOI 是欧洲拥有世界领先技术的领域 ...

而为了3nm芯片的量产，三星投入了500多亿美元，按照三星公布的数据，最近三年以来，三星在晶圆厂这一块的投入高达800多亿美元了，也就是5000多亿元人民币。 之前三星计划在2025年投产2nm，2027年投产1.4nm，如今将2027年的计划取消，但2nm还是会投产，毕竟2nm芯片已经准备的差不多了。

FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

当前，欧洲一家领先的科技试验线正在公开征集下一代10纳米和7纳米FD-SOI技术的设计项目。FD-SOI技术在欧洲处于世界领先水平，其具备的超低功耗能力，适用于数字、模拟和射频（RF）设计。在未来两年内，若能从现有的22纳米工艺技术，逐步过渡到高产量的300毫米晶圆上的10纳米工艺，进而迈向7纳米工艺，无疑将显著增强欧洲半导体公司的竞争力。

IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD ...

IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD ...

从当前行业动态来看，10nm和7nm成为了FD-SOI技术发展的新目标。 早在去年6月，在《欧盟芯片法案》的推动下，法国CEA-Leti就宣布了位于法国 ...

At DesignCon in January, I was a panelist at a panel session entitled “Power Integrity For 10nm/7nm SoCs – Overcoming Physical Design Challenges And TAT.” I was on the panel together with Arvind Vel, ...

采用了先进的7nm制程工艺。这一工艺相比之前的10nm和12nm工艺，在晶体管密度、功耗和性能等方面都有显著提升。通过采用更先进的制程工艺 ...