披露了桑迪亚国家实验室在车规级垂直氮化镓器件上取得了最新研究突破——他们展示了1200V GaN MOSFET，这种器件集成了二氧化铪（HfO2）栅介质，属业界首次。 此前，由于高泄漏和低带偏移的问题，行业普遍认为高κ栅极电介质与宽带隙半导体不兼容。但此次桑 ...

·聚焦:人工智能、芯片等行业欢迎各位客官关注、转发每日芯报0112期中科院基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展近日，中科院微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作,基于新型6英寸SiC复合衬底 ...

成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。基于该研究成果的论文于12月10日以口头报告形式发表在第70届国际电子器件大会上（IEDM 2024）。