随着数据需求不断增加，存储技术的发展日益重要。近日，三星电子在国际固态电路会议（ISSCC）上宣布了其雄心勃勃的计划：到2030年实现1000层的NAND闪存技术，并推出400层的晶圆键合技术。这一消息无疑将在存储行业引发波澜，同时也为更广泛的人工智 ...

此外，NAND闪存市场的其他参与者也开始关注HBF的新机遇。随着AI应用的不断扩展，许多传统闪存厂商也正在探索如何将其技术与AI相结合，以满足市场的迫切需求。这意味着整个NAND市场正在向全面升级的方向发展，厂商之间的竞争将更加白热化。在这样的市场环境下，NAND闪存是否能够迎来属于自己的“HBM时刻”，也将成为他人关注的焦点。

宋部长当天还公开展示了 1000 层 NAND 的“Multi-BV NAND”结构 PPT（上图），堆叠四片晶圆（2+2）以打破结构限制。实际上，早在 2022 年于硅谷举行的“2022 年三星技术日”上，三星就承诺将在 2030 年之前开发出 ...

AMEYA360商城 ...

随着人工智能、大模型、云计算等新兴技术的飞速发展，市场对NAND闪存的存储性能要求也在不断提高，各大厂商都在积极推进NAND闪存的研发，越来越多有关第十代NAND闪存技术的消息扑面而来，第十代NAND闪存的技术之争正在拉开帷幕。铠侠与闪迪携手 ...

展望未来，随着HBF的出现，NAND厂商的春天似乎已经不再遥远，但面对依旧激烈的市场竞争，厂商可能会围绕技术话语权展开新一轮的争斗，届时我们也不妨拭目以待，谁能在NAND市场笑到最后。

3D NAND闪存的制造过程高度依赖存储单元 ... 形成高精度的孔洞通道，实现了对微小结构的精准控制。 研究团队还发现，采用三氟化磷等特定化学材料 ...

后来被引入 3D NAND。 由于改善了栅极与沟道耦合的静电效应，GAA（Gate-All-Around）单元结构有助于改善单元特性（图 3）。GAA 通过屏蔽单元减少了单元 ...

存储芯片行业已经是成熟市场，三星、SK海力士、美光等巨头占据了大部分市场份额。与他们相比，长江存储是后起之秀，2016年成立于武汉，至今不到10年。对于中国科技创新而言，长江存储十年磨一剑的技术突破无疑令人振奋。最重要的是，在核心技术逐步追上甚至领先 ...

JEDEC固态存储协会在2019年初正式发布了LPDDR5规范，速率为6400MT/s，为了提升性能重新设计了架构，转向16Banks可编程和多时钟架构，并引入了Data-Copy和Write-X两个新的指令，另外考虑到汽车与相关市场的需求，LPDD ...

快科技2月5日消息，3D NAND闪存的设计和制造非常依赖存储单元堆叠，由此可以大幅增加存储密度与容量，降低成本。 最近，来自Lam Research、科罗拉多 ...

这种类型的光刻胶专门设计用于承受高密度3D NAND结构图案化的复杂性，这些结构垂直堆叠以增加存储容量而不影响性能。 在典型的半导体制造工艺 ...