ASML的担忧似乎成真了。ASML首席执行官曾表示，美国的制裁可能会促使中国自主研发出先进的技术。当时许多人认为这只是恭维之词，甚至有人觉得他是为了销售光刻机而吹捧中国。然而，不到两年时间，国产光刻机再次实现了重大突破。

“图纸给你们也造不出！ ”这是ASML曾对中国芯片专家的嘲讽。然而2025年3月25日，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）激光技术，不仅让这句傲慢的预言沦为笑柄，更意味着中国半导体产业正式向3nm工艺发起冲锋。

3月24日消息，中国科学院（CAS）研究人员成功研发突破性的固态深紫外（DUV）激光，能发射 193 纳米的相干光（Coherent ...

目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon ... 这是使用浸没式光刻机在 7nm 硅上产生特征尺寸的关键，并且可以用于低至 3nm 的工艺节点。

目前，全球主要的DUV光刻机制造商如ASML、Canon和Nikon ... 这是使用浸没式光刻机在 7nm 硅上产生特征尺寸的关键，并且可以用于低至 3nm 的工艺节点。

IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES ...

FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。