在全球半导体行业面临技术壁垒和地缘政治压力的背景下，华为在芯片制造领域再次传来重大消息。据多方消息来源透露，华为已开始在其东莞工厂测试一款国产的极紫外光刻（EUV）芯片制造设备。如果测试顺利，这项技术突破可能使华为和中国的半导体产业在不依赖荷兰光刻巨 ...

现在国人最关心的就是何时能攻克EUV光刻机,这是我们科技发展征途上的唯一拦路虎,所谓的科技战真正能掐脖子的只有EUV光刻机了，只有造出了EUV光刻机，全国人民才能安心，关键时刻还得看华为。

而为了3nm芯片的量产，三星投入了500多亿美元，按照三星公布的数据，最近三年以来，三星在晶圆厂这一块的投入高达800多亿美元了，也就是5000多亿元人民币。 之前三星计划在2025年投产2nm，2027年投产1.4nm，如今将2027年的计划取消，但2nm还是会投产，毕竟2nm芯片已经准备的差不多了。

当前，欧洲一家领先的科技试验线正在公开征集下一代10纳米和7纳米FD-SOI技术的设计项目。FD-SOI技术在欧洲处于世界领先水平，其具备的超低功耗能力，适用于数字、模拟和射频（RF）设计。在未来两年内，若能从现有的22纳米工艺技术，逐步过渡到高产量的300毫米晶圆上的10纳米工艺，进而迈向7纳米工艺，无疑将显著增强欧洲半导体公司的竞争力。

尽管发布会中技术信息有限，但据业内消息透露，C1采用了台积电的4nm与7nm工艺进行量产。 据悉，苹果硬件技术高级副总裁Johny Srouji在一次采访中 ...

快科技2月26日消息，ASML Twinscan EXE:5000 EUV是当今世界上最先进的EUV极紫外光刻机，支持High-NA也就是高孔径，Intel去年抢先拿下了第一台，目前已经在 ...

竞争对手台积电和三星则从14/16nm FinFET工艺迅速演进到 10nm、7nm、7nm EUV工艺，在先进制程技术上实现了弯道超车。 英特尔在14nm工艺上的长期停留 ...

随着半导体制造商向更小的节点（例如 7nm 和 5nm）过渡，对更高分辨率光刻胶的需求正在增加。在这方面，即使 EUV（极紫外）光刻胶在尖端半导体 ...