简要总结了目前国际上主流的APD器件发展路线，并分析了包括PIN、高密度垂直集成光电二极管（HDVIP）和吸收-倍增分离（SAM）型器件在内的主要APD器件的结构与性能特点。通过对比不同技术路线的器件优化思路和性能特点，对相关器件的持续发展进行了展望。