随着功率半导体的性能和耐压不断提升，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等下一代功率半导体材料越来越受到关注。二氧化锗（ GeO 2）有望成为继SiC、GaN之后的下一代功率半导体材料。据称， GeO2功率器件能够将功率损耗降低至硅 (Si) 的四千分之一、 SiC 的十分之一。