根据TrendForce最新报告，存储芯片行业正迎来一轮复苏，这一变化主要得益于三重因素的共同作用：技术创新、市场需求复苏以及大型厂商减产。尤其是DRAM和NAND Flash产品在近期现货市场价格的持续上涨，表明市场信心正在逐步回暖。值得注意的是，随着AI大模型训练对内存带宽需求的显著提升，传统的DDR内存已无法满足这种需求，HBM（高带宽内存）技术因此受到了极大的关注与青睐。

近日，紫光国微（002049）在其投资者关系平台上回应了关于其高带宽内存（HBM）芯片进展的问题。根据公司的最新答复，目前HBM产品仍处于样品系统集成验证阶段。自2024年10月业绩说明会以来，该产品在技术发展上取得了一定的进展，但尚未完成集成验证， ...

系统效率由关键组件的性能决定。对于人工智能（AI）硬件系统，内存子系统性能是最关键的因素。在这篇文章中，我们将概述AI模型概况以及高带宽存储器（HBM）子系统对有效系统性能的影响。AI模型已从上世纪90年代的数十亿参数发展到今天的万亿参数模型（TPM ...

在各类DRAM产品中，HBM的应用领域独具特色。DDR主要应用于消费电子、服务器、PC等领域；LPDDR则主打移动设备、手机及汽车市场；GDDR是图像处理GPU的首选；而HBM则主要应用于数据中心、AI计算加速卡、高端专业显卡等高性能计算场景，展现出其独特的魅力。

HBM采用先进的3D堆叠技术，通过硅通孔（TSV）将多个DRAM芯片垂直连接，极大地提升了内存带宽。这种独特的设计，使得HBM的数据传输速率能够达到数百GB/s，相比传统的DDR内存，有着数倍的提升，能充分满足AI运算对海量数据的快速处理需求，有效减 ...

SK Hynix 将 LPW DRAM 称为“垂直扇出 (VFO)”。研究发现，两家公司的工艺方法在 LPDDR DRAM 堆叠方面相似。但在封装过程中铜柱的形成存在差异。

记忆体大厂美光科技（Micron）受惠川普政府有意推动优先採购美国制造的记忆体产品，加上延揽台积电前董事长刘德音出任董事，有助美光加速AI布局，美光利多消息激励台厂PCB健鼎（3044）、台表科（6278）等记忆体模组供应链发展前景，未来可望进一步受 ...

相较于传统的DRAM，HBM技术采用垂直堆叠DDR芯片与GPU封装实现高带宽、低延迟和低功耗，突破了传统内存的限制，适应AI时代的新需求。目前全球市场 ...

除了DDR5内存外，长鑫存储还在积极推进HBM高带宽内存的研发和生产。一方面，公司不断提升一代HBM内存的产能；另一方面，二代HBM2内存已取得重大 ...