在全球半导体行业面临技术壁垒和地缘政治压力的背景下，华为在芯片制造领域再次传来重大消息。据多方消息来源透露，华为已开始在其东莞工厂测试一款国产的极紫外光刻（EUV）芯片制造设备。如果测试顺利，这项技术突破可能使华为和中国的半导体产业在不依赖荷兰光刻巨 ...

EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深紫外（DUV）光刻相比仍存在显著差距。工艺稳定性需要持续监控与微调，而发电设备、专用设备及耗材方面的高额投入，使得 ...

快科技3月13日消息，据韩国媒体报道， 三 星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。

中国国内极紫外 (EUV) 光刻技术的发展并非遥不可及。目前，华为东莞工厂正在测试的最新系统利用激光诱导放电等离子体 (LDP) 技术，代表了一种具有颠覆性的 EUV 光生成方法。该系统计划于 2025 年第三季度进行试生产，并计划于 2026 ...

美光公司上个月推出了第六代DRAM的原型，成为存储器半导体行业中第一个推出第六代DRAM的厂商，而美光公司的DRAM设计和制造工艺与三星电子和SK海力士有着明显的区别，这有望成为三家公司在即将到来的量产竞争中胜负的关键因素。

据TrendForce报道，三星已经在本月初在其华城园区引入了首台ASML制造的High-NA EUV光刻机，型号为“TWINSCAN ...

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品 ，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

在内存技术的最新进展中，美光公司（Micron）已经成功地为英特尔（Intel）和AMD等客户提供了1γ（gamma）DDR5的样品，这一成就标志着美光在行业内率先实现了技术突破。

今年2月下旬日，DRAM大厂美光科技（Micron Technology）宣布，它已经成为业内售家向合作伙伴提供基于极紫外光（EUV）光刻技术的1γ （1-gamma）制程的第六代 （10nm 级） DRAM 节点的 DDR5 内存样品 ...

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：贵司哪些产品可以用于KrF/ArF/EUV光刻胶原材料？ 久日新材（688199.SH）3月13日在投资者互动平台表示，公司正在进行KrF、ArF、EUV光刻胶所需原材料光致产酸剂产品的开发。 (记者 ...