日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

近日上海国际半导体展（SEMICON ...

在全球半导体行业面临技术壁垒和地缘政治压力的背景下，华为在芯片制造领域再次传来重大消息。据多方消息来源透露，华为已开始在其东莞工厂测试一款国产的极紫外光刻（EUV）芯片制造设备。如果测试顺利，这项技术突破可能使华为和中国的半导体产业在不依赖荷兰光刻巨头阿斯麦（ASML）的情况下，成功制造出先进的芯片，显著提升中国在半导体领域的自给自足能力。

在制程精度上，当前NIL技术仅能达到14nm，而EUV技术已经能够实现5nm的极限制程。制程精度直接关系到芯片的性能和集成度，更高的制程精度意味着 ...

ASML的担忧似乎成真了。ASML首席执行官曾表示，美国的制裁可能会促使中国自主研发出先进的技术。当时许多人认为这只是恭维之词，甚至有人觉得他是为了销售光刻机而吹捧中国。然而，不到两年时间，国产光刻机再次实现了重大突破。

英伟达、AMD和英特尔的尖端AI芯片已普遍采用EUV制造的5nm和3nm工艺，而向2nm全环绕栅极（GAA）晶体管的演进将进一步增强对EUV技术的依赖。 在HBM领域，三星、美光、SK海力士正选择性部署EUV技术，虽然存储单元阵列仍以采用DUV为主，但逻辑电路等关键零件已开始 ...

英伟达、AMD 和 Intel 的尖端 AI 芯片已经依赖于 EUV 制造的 5nm 和 3nm 工艺节点，而向 2nm 全栅 (GAA) 晶体管的转变将进一步增加对 EUV 功能的需求。

ASML 的 Twinscan EXE 高 NA EUV 光刻工具只需一次曝光即可实现低至 8nm 的分辨率，与单次曝光即可提供 13.5nm 分辨率的低 NA EUV 系统相比，这是一个显着的 ...

EUV光刻机之所以关键，是因为它能够制造5nm及以下的芯片。若要实现这一尺度芯片的大规模生产，EUV技术不可或缺。佳能虽然声称其NIL设备能制造5nm ...

一般来说，金属间距缩小到30nm以下之后，也就是对应的工艺节点超越5nm， 低数值孔径光刻机的分辨率就不够了，只能使用EUV双重曝光或曝光成形 ...