早年间荷兰光刻机巨头ASML高管曾放出豪言：“即使给中国图纸，他们也造不出光刻机。”多年后的今天，中国科学院宣布全固态深紫外（DUV）激光光源技术突破，直接瞄准3nm芯片工艺。这场逆袭不仅撕碎了外界的嘲讽，更让全球半导体行业意识到：中国正用自主创新的 ...

“图纸给你们也造不出！ ”这是ASML曾对中国芯片专家的嘲讽。然而2025年3月25日，中国科学院宣布的固态深紫外（DUV）激光技术，不仅让这句傲慢的预言沦为笑柄，更意味着中国半导体产业正式向3nm工艺发起冲锋。

日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

新凯来与华为合作开发的28纳米光刻机，主要是为了取代包括ASML在内的国际半导体设备大厂，提升自主性，突破美国政府对先进芯片设备的出口管制措施，被中国大陆视为先进半导体制程的救星。

High-NA EUV技术由荷兰ASML公司研发，被业界视为继传统EUV之后最具变革性的芯片制造平台。英特尔是该设备的首批部署客户，借此加速推进其“IDM 2.0”战略，在未来数年内实现从18A到14A的制程跃迁。

ASML凭借EUV光刻技术主导半导体制造，其技术壁垒和供应链整合能力难以超越。佳能NIL技术通过物理压印降低成本，但面临缺陷控制和对准精度挑战；中国LDP技术试图绕过掩膜版限制，但光源功率和效率不足。两者在特定领域可能突破，但ASML持续迭代技术巩固 ...

ASML的担忧似乎成真了。ASML首席执行官曾表示，美国的制裁可能会促使中国自主研发出先进的技术。当时许多人认为这只是恭维之词，甚至有人觉得他是为了销售光刻机而吹捧中国。然而，不到两年时间，国产光刻机再次实现了重大突破。

国产EUV光刻机横空出世，蔡正元：ASML有可能要倒闭 ...

全球半导体巨头纷纷加速引入 High-NA EUV 设备，英特尔（Intel）在 2023 年率先采购了 ASML 的首台 High-NA EUV 设备，并已签订合同购买总计 6 台。据路透社报道，英特尔的前两台 High-NA EUV 设备已投入生产，每季度可处理 3 万片晶圆。

IT之家 3 月 23 日消息，在当今半导体产业中，ASML（Advanced Semiconductor Material ...

High NA EUV突破：英特尔季产3万片，imec 20nm良率90%，美光首用DRAM。 EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要 ...