光刻图案化过程依赖于同时满足小特征尺寸分辨率、对EUV波长的高灵敏度以及可接受的线宽粗糙度的光刻胶。然而，从光掩模到晶圆图案化的最终步骤却是最不可预测且最难以理解的环节。

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品 ，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

Das wäre ein riesiger Erfolg für das Land, denn bisher stellt ausschließlich ASML aus den Niederlanden EUV-Lithografie-Systeme in Serie her. Aufgrund von Exporteinschränkungen darf ASML solche ...