日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

除了ArF空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。 三星电子正在推动关键半导体材料的本土化，此举引起广泛关注，因为该公司试图减少对日本进口的严重依赖。在美国、日本、中国大陆和中国台湾的全球半导体主导地位竞争日益激烈的背景下，这一战略转变被视为应对韩日关系潜在紧张的主动措施。 据业内人士透露，三星电子半导体部门正在加快努力用韩国本土替代品取代“ArF（氟化氩）空白掩模”。这些掩模在 ...

EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。 自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深 ...

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品 ，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

全球半导体巨头纷纷加速引入 High-NA EUV 设备，英特尔（Intel）在 2023 年率先采购了 ASML 的首台 High-NA EUV 设备，并已签订合同购买总计 6 台。据路透社报道，英特尔的前两台 High-NA EUV ...

快科技3月13日消息，据韩国媒体报道， 三 星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。

Huawei, SMIC reportedly advancing LDP lithography, eye 3Q25 trial, 2026 rollout China is making significant strides in ...

这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端 ...

ASML to install its High-NA EUV lithography tools in Imec's pilot production line to give research and development personnel ...