日本Rapidus公司宣布在北海道工厂计划部署10台EUV设备，并联合美国博通公司推进2nm芯片的量产，这一举措旨在重振日本本土的半导体制造能力。曾经的日本半导体产业辉煌一时，在全球市场占据重要份额。此次Rapidus的行动，是日本试图在半导体高端制 ...

除了ArF空白掩膜，三星还在加大力度将其他高度依赖日本的材料本地化。 三星电子正在推动关键半导体材料的本土化，此举引起广泛关注，因为该公司试图减少对日本进口的严重依赖。在美国、日本、中国大陆和中国台湾的全球半导体主导地位竞争日益激烈的背景下，这一战略转变被视为应对韩日关系潜在紧张的主动措施。 据业内人士透露，三星电子半导体部门正在加快努力用韩国本土替代品取代“ArF（氟化氩）空白掩模”。这些掩模在 ...

快科技3月13日消息，据韩国媒体报道， 三 星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。

以 EUV 技术为例，其在发电、设备以及 ... 然而，三星现在正与韩国生产商S&S Tech密切合作，以实现本土化。一位业内人士透露，“三星一直在接收 ...

全球半导体巨头纷纷加速引入 High-NA EUV 设备，英特尔（Intel）在 2023 年率先采购了 ASML 的首台 High-NA EUV 设备，并已签订合同购买总计 6 台。据路透社报道，英特尔的前两台 High-NA EUV ...

此外，薄膜的寿命也是一个重要挑战。 目前，三星正在推动EUV薄膜的国产化，FST和S&S Tech等韩国公司正在积极开发EUV薄膜。而且，三星的“EUV协同任务组（TF）”部门目前正致力于开发下一代碳纳米管（CNT）薄膜，以期解决现有薄膜的限制。 这家公司要干掉光刻 ...

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品 ，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。 自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深 ...

这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端 ...

快科技2月25日消息，Intel宣布，ASML首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示，其效率、可靠性比上一代EUV ...

近日，雪佛兰在巴西市场震撼发布了一款全新的电动SUV——Spark EUV。这款车型源自通用汽车与中国上汽通用五菱的强强联合，其原型为宝骏悦也Plus。

【ITBEAR】TechInsights最近的分析揭示，ASML的EUV光刻机功耗惊人。据悉，0.33 NA型号的功耗已达1170千瓦，而更先进的0.55 NA（High NA）型号预计将飙升至1400 ...