GaAs表面在空气中容易发生氧化反应，生成氧化物如Ga2O3、As2O3和As2O5。这些氧化物进一步与GaAs反应生成更稳定的氧化物。氧化动力学：As原子比Ga原子 ...
In this dissertation, electronic and optoelectronic devices and sensors are developed with ultrawide bandgap beta-gallium oxide (Ga2O3) and wideband gap 4H-silicon carbide (4H-SiC) single crystal ...
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