北京大学 正大步迈入后硅时代与埃米级（Ångström）半导体领域。该校研究团队近日在《自然》杂志发表论文，宣布成功研制全球首颗二维低功耗 全环绕栅场效应晶体管 ，这项由彭海林教授、邱晨光教授领衔的跨学科成果，被团队成员称为 "里程碑式突破"。

北京大学研究团队发表了一项关于二维低功耗 GAAFET 晶体管的研究成果，这是世界上首例此类晶体管。由彭海林教授和邱晨光领导的跨学科团队在《自然》杂志上发表了研究成果，一些团队成员称这一发现堪称是一次里程碑式的突破。

在科技界迎来了一场新的革命——北京大学的研究团队成功开发出世界上首个二维低功耗环栅场效应晶体管（GAAFET），这一突破性的成果不仅标志着中国在半导体领域取得了领先优势，更预示着电子设备将变得更加高效和节能。

北京大学研究团队近期发表了全球首创2D低功耗GAAFET晶体管成果，并且是首款无硅芯片，比英特尔和台积电最新3纳米芯片快40%，能耗还低10%！

三星此举不仅是为了展示其2nm芯片工艺的成熟度，更希望通过实际应用来重拾市场信心。根据消息，三星的2nm工艺良率已超过50%，这一数据为其即将来临的市场竞争注入了信心。若能够成功吸引更多客户，三星的目标就是在与台积电的竞争中重新站稳脚跟。但是，这也无疑是一场冒险。如果2nm工艺仍无法证明其稳定性和可靠性，三星将彻底失去与竞争对手争锋的能力，面临更加严峻的未来。

Gate-All-Around：革命性的飞跃 GAAFET即环绕栅极场效应晶体管，其结构晶体管的本质，就是把FinFET的Fin旋转90°，然后把多个Fin横向叠起来，这些Fin都 ...