值得关注的是，九峰山实验室科研团队在全球首次实现8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar ...

随着功率半导体的性能和耐压不断提升，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等下一代功率半导体材料越来越受到关注。二氧化锗（ GeO 2）有望成为继SiC、GaN之后的下一代功率半导体材料。据称， GeO2功率器件能够将功率损耗降低至硅 (Si) 的四千分之一、 SiC 的十分之一。

据业内人士透露，6英寸SiC基板的价格已经低于成本价，销售情况不容乐观。虽然中国整体制造能力值得称赞，但内部竞争问题导致竞争过度，造成市场混乱。这也是中国政府对8英寸生产许可证发放进行严格限制的主要原因。

近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC 2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓 (GaN)功率集成电路 (IC)， ...

当前GaN的主要应用市场——消费电子快充，已进入成熟期，增长速度变缓。在家电、工业控制、数据中心等新领域，SiC、GaN开始了应用渗透，但由于成本或技术突破性的限制，尚未形成高速增长，进而显示第三代半导体市场需求的疲软。 二是第三代半导体的技术 ...

芝能智芯出品Navitas Semiconductor是一家纯粹的第三代功率半导体公司，专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）技术。● 2024年全年收入达到8330万美元，同比增长5%，其中GaN收入增长超过50%，创历史新高。● ...

在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN ...

GaN 器件将低损耗开关性能和高速完美结合，是能够在兆赫兹地区实现超高带宽的新兴开关电源。这些类型的电源可以提高整体效率，从而为射频基站功率放大器以及相控阵雷达的发射/接收 （T/R） 模块等应用提供快速瞬态响应。

感谢您的关注。公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代表第三代半导体材料的半导体器件，截至目前，公司拥有氮化镓和 ...

功 率元器件是提高其效率的关键，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产 ...

▲ 点击上方蓝字关注我们，不错过任何一篇干货文章！是德科技数字月怎么能少了新品亮相？本期直播：新品来助阵！重磅新品首发：光隔离差分探头系列，专门用于提高宽带隙 GaN 和 SiC ...