IT之家 3 月 17 日消息，三星电子代表 Song Jai-hyuk 在 2 月的 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲中对 HBM 内存的未来技术演进进行了展望，提到了通过定制版本缩减 I/O 面积占用和在基础芯片中直接集成加速器单元两种思路。

总体而言，三星的HBM技术展望不仅是对内存结构的重新思考，更是对未来计算性能提升的积极回应。这种技术革新将为智能设备、数据中心及AI应用等领域带来更加卓越的性能表现，预示着未来内存市场的激烈竞争与无限可能。 返回搜狐，查看更多 ...

HBM采用先进的3D堆叠技术，通过硅通孔（TSV）将多个DRAM芯片垂直连接，极大地提升了内存带宽。这种独特的设计，使得HBM的数据传输速率能够达到数百GB/s，相比传统的DDR内存，有着数倍的提升，能充分满足AI运算对海量数据的快速处理需求，有效减 ...

在最新的技术前沿探索中，三星电子的代表Song Jai-hyuk于IEEE ISSCC 2025全体会议上，对HBM内存的未来发展趋势进行了深入剖析。他提出了两项创新思路：一是通过定制版本减少I/O面积占用，二是在基础芯片中直接整合加速器单元。

3月17日消息，三星电子代表宋在旭在2月举行的IEEE ISSCC 2025全体会议上发表演讲，分享了对高带宽内存（HBM）未来技术演进的展望。他提出了两种主要的技术方向：通过定制版本优化HBM设计以减少I/O面积占用，以及在基础芯片中直接集成加速器单元。

在当前竞争激烈的市场环境中，三星的新HBM内存技术无疑将成为行业的一股强大推动力。随着AI、云计算和大数据应用的迅猛发展，处理器和内存之间的性能缺口日益扩大。相比同类产品，三星通过定制化和3D集成技术所带来的能效革新，将吸引更多高性能计算领域的客户并增强其市场竞争力。同时，这也对竞争对手构成了压力，要求他们加速技术迭代，提升产品性能。

IT之家 3 月 17 日消息，三星电子代表 Song Jai-hyuk 在 2 月的 IEEE ISSCC 2025 全体会议演讲中对 HBM 内存的未来技术演进进行了展望，提到了通过定制版本 ...