近日，上海芯导电子科技股份有限公司申请了一项名为‘一种GaN HEMT器件及其制备方法’的专利，公开号为CN119698022A。这一技术突破解决了现有GaN ...

日本住友电气工业株式会社（Sumitomo Electric）近日宣布，其与大阪公立大学的研究团队在功率半导体领域取得重大突破——成功在直径两英寸的多晶金刚石（PCD）基板上研制出高性能氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管。

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN HEMT：GNP2070TD-Z。TOLL封装具有紧凑的设计 ...

氮化镓（GaN）作为高频、高功率微波功率器件的理想材料，在众多领域有着广泛应用。 然而，随着GaN HEMT（高迁移率晶体管）器件功率密度及频率的不断提高，散热问题日益凸显，已成为性能进一步提升的瓶颈。 在此背景下，金刚石基GaN技术应运而生 ...

全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN™产品GaN HEMT，被先进的日本电子元器件、电池和电源制造商村田 ...