通过签署协议，两家合作伙伴重申了共同努力推进高数值孔径 EUV 光刻等关键半导体制造技术。该技术将使生产功能更强大、更节能的微芯片成为可能，而这些微芯片是 人工智能 、自动驾驶、工业 4.0 等关键技术以及医疗技术和能源转型的突破性解决方案的基础。

IT之家 3 月 11 日消息，光刻设备巨头 ASML 当地时间今日宣布同比利时 imec 微电子研究中心签署了一项新的 5 年期战略合作协议。这对长期伙伴将在先进工艺和可持续发展领域发挥各自的知识和专长。在半导体工艺方面，imec 牵头建设的后 2nm 制程前沿节点 SoC 中试线 NanoIC 将导入包括 High NA EUV 光刻机在内的一系列 ...

IT之家 3 月 11 日消息，光刻设备巨头 ASML 当地时间今日宣布同比利时 imec 微电子研究中心签署了一项新的 5 年期战略合作协议。这对长期伙伴将在先进工艺和可持续发展领域发挥各自的知识和专长。 在半导体工艺方面，imec 牵头建设的后 2nm 制程前沿节点 SoC 中试线 NanoIC 将导入包括 High NA EUV 光刻机在内的一系列 ASML 设备 ...

目前，DNP已实现2nm以后逻辑半导体用EUV光刻掩模版所需的精细图案分辨率，并完成了支持High-NA的EUV光掩模版的开发，该光掩模版被考虑用于2nm以后的下一代半导体，并已完成EUV光掩模版的标准评估，并开始提供样品掩模版。

光刻技术领导者ASML与比利时imec微电子研究中心近日联合宣布，双方已签署一项为期五年的全新战略合作协议。此次合作旨在结合双方在先进半导体工艺及可持续发展领域的深厚知识与专业优势。 根据协议内容，imec主导的后2nm制程节点SoC中试线NanoIC，将引入ASML的一系列尖端设备，其中就包括了High NA ...

在技术路线图上，Imec曾在2022年就发布了1纳米的晶体管发展蓝图，展现了从FinFET技术到配备更多创新设计的新型全栅极晶体管的转变过程。预计GAA（全栅极）和CFET（互补FET）技术将分别在2032年前后取得重大进展，实现更高集成度。

EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出了其不可替代的优势。

自 ASML 官网获悉，当地时间3月11日， ASML 宣布同比利时微电子研究中心（imec）签署新的战略合作伙伴协议，重点关注半导体研究与可持续创新。 此次合作涵盖了阿斯麦的全部产品组合，这些设备将导入由imec牵头建设的后 2nm 制程前沿节点SoC中试线NanoIC，研发的重点领域还将包括硅光子学、存储器和先进封装，为未来基于半导体的人工智能应用在不同市场提供全栈创新。

半导体设备供应商艾司摩尔（ASML）与比利时微电子研究中心（imec）宣布，双方已签署为期5年的新策略伙伴协议，聚焦研究与永续发展，目标透过集结双方知识和专业，在开发推进半导体产业解决方案、聚焦永续创新研究倡议等两大领域，提供有价值的解决方案。 此项合作结合ASML完整的产品组合，尤其是开发高阶技术节点，採用包括0.55 NA和0.33 NA极紫外光（EUV）、浸润式深紫外光（DUV）、Yield ...

imec 总裁兼首席执行官Luc Van den hove 表示：“结果证实了High NA EUV 光刻技术长期以来预测的分辨率能力，一次曝光即可实现 20nm 以下间距的金属层 ...

Imec从一项比较不同标准单元结构的设计技术协同优化 （DTCO） 研究展示了双列CFET在7埃米 （A7） 逻辑节点提供了权衡可制造性和面积效率的最佳取舍。

ASML在这项合作的投资还有由晶片联合承诺（Chips Joint Undertaking）和法兰德斯政府（为了实现欧盟《欧洲晶片法案》奈米晶片试验制程）以及荷兰政府（作为一项欧洲共同利益重要项目，简称IPCEI）所提供的经费补助。