在技术路线图上，Imec曾在2022年就发布了1纳米的晶体管发展蓝图，展现了从FinFET技术到配备更多创新设计的新型全栅极晶体管的转变过程。预计GAA（全栅极）和CFET（互补FET）技术将分别在2032年前后取得重大进展，实现更高集成度。

根据 imec 的设计技术协同优化 （DTCO） 研究，这种双排 CFET 架构的主要优点是简化了流程，并显著减少了逻辑和 SRAM 单元面积。与传统的单排 CFET ...

imec表示，在单次曝光后，9nm和5nm（间距19nm）的随机逻辑结构、中心间距为30nm的随机通孔、间距为22nm的二维特征，以及间距为32nm的动态随机存取 ...