旭矽半导体的创新之路 作为一家专注于科技推广和应用服务的企业，旭矽半导体自2018年成立以来，始终致力于功率半导体领域的研发与创新。截至目前，公司已拥有20项专利和1个行政许可，展现了其在行业内的深厚积累和持续创新能力。此次SIC ...

而这次从比亚迪的描述中，似乎是使用了自研的1500V SiC MOSFET产品。实际上，作为一家车企，比亚迪是罕见地布局了SiC产业的全链条，从衬底、外延，设计到晶圆制造再到模块封装。

英飞凌最新推出的600VCoolMOS™ 8 ...

总体而言，湖南三安在碳化硅MOSFET领域的研发进展虽尚处于起步阶段，但沟槽结构的未来应用无疑将对整个半导体行业产生深远影响。我们期待三安光电能在这一转型过程中把握先机，推动技术革新，实现可持续发展。 返回搜狐，查看更多 ...

集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同 ...

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC ...

芯联集成在互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC ...

该产品即日起开始批量发货。 在逆变器等以串行方式使用MOSFET或IGBT的电路中，米勒电流 [1] 可能会在下桥臂 [2] 关断时生成栅极电压，从而导致上下 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示韦尔股份（603501）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种基于物理结构的沟槽型MOSFET电路模型及其建立 ...

该驱动芯片用于驱动半桥、全桥、同步降压、同步升压、推挽、双开关前馈和有源钳位前馈转换器中的N-Channel MOSFET, 高低侧各自拥有独立的输入, 提供最大的输入控制信号灵活性 -支持高达120V DC的自举供电电压和1MHz的开关频率, 适用于高频率应用。输入引脚可 ...