根据台积电官方路线图，N2工艺基于GAA（环绕栅极）晶体管架构，相较于3nm工艺，性能提升15%，功耗降低30%，同时芯片密度增加1.07-1.1倍。尽管N2技术已具备2025年试产条件，但受限于初期良率（约60%）与高昂成本（每片晶圆报价3万美元） ...