PFC控制器采用梵塔FAN6631 ... X-Cap放电功能及内置环路可精简IC外围设计，除此之外，FAN6631 还支持 IC 外围电阻设置开启/关闭CCM 及阈值调整，以提升 ...

随着功率半导体IGBT，SiC MOSFET技术的发展和系统设计的优化， 电平位移 驱动电路应用场景越来越广，电压从600V拓展到了1200V。英飞凌1200V 电平位移 型颈驱动芯片电流可达+/-2.3A，可驱动中功率IGBT，包括Easy系列模块。目标10kW+应用，如商用HVAC、热泵、伺服驱动器、工业变频器、泵和风机。本文就来介绍一个 设计案例 ，采用 电平位移 驱动器碳化硅SiC ...

近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC 2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓 (GaN)功率集成电路 (IC)， 此举被业界誉为在可再生能源和电动汽车等高功率应用领域的“范式转变”。纳维塔斯首席执行官兼联合创始人基恩·谢里丹在新闻发布会上指出，这款新型双向GaN IC在效率、体积、重量和成本等多个方面都达到了行业顶尖水平。

为此，大联大品佳基于Infineon XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X栅极驱动IC推出3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案。