FRAM存储器采用铁电材料作为存储元件，特别是PZT（锆钛酸铅）晶体。PZT晶体在施加电压后，其内部的Zr和Ti原子会发生位移，产生极化现象。这种 ...

据麦姆斯咨询报道，近日，日本名古屋大学（Nagoya University）的研究人员介绍了一种高灵敏度的柔性锆钛酸铅（PZT）压电传感器和一种优化的人体佩戴方法，用于在自然手腕位置进行精确的桡动脉脉搏波形测量。该压电传感器采用了直接在柔性衬底上制造的PZT ...