2025年3月22日，湖南长城银河科技有限公司正式申请了一项引人注目的专利，名为“针对单粒子效应的加固器件”。这款新型器件能够显著抑制NMOS和PMOS晶体管的脉冲宽度，提升集成电路的抗干扰能力，旨在加强现代电子设备的整体性能。专利的申请日期为2024年12月，公开号为CN119653865A，标志着长城银河在智能设备领域内的又一次创新尝试。

Buck开关电路中，通常使用NMOS来作为开关管。我们知道，相比PMOS，NMOS在导通电阻、价格方面都比较有优势。 在同步结构中，MOS管作为开关管可以有 ...

CMOS technology combines two types of transistors that work together, leading to efficient power use and high noise immunity. CMOS technology uses two different types of transistors, n-type (nMOS) and ...