商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以 ...

最终，芯粤能的SiC沟槽MOSFET产品的推出，标志着国内SiC产业发展进入了一个新的阶段。随着技术的迭代和成本的持续降低，这些高性能器件将在新能源、工业控制、消费电子等多领域内释放出巨大的市场潜力。随着国内市场的逐步拓展以及国际市场上的战略布局，芯粤能将向更高目标迈进，成为全球新能源领域不可或缺的一部分。未来的SiC发展之路，值得行业内外人士共同关注与期待。 返回搜狐，查看更多 ...

目前主流800V电压架构中，高压部分的大功率用电设备，比如空调压缩机、主驱逆变器等部分，需要用到1200V的SiC MOSFET。为了确保器件在电压波动或 ...

随着新能源产业的蓬勃发展，SiC（碳化硅）器件作为新一代功率器件的核心技术，正迎来前所未有的发展机遇。近日，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）宣布成功开发出第一代SiC沟槽MOSFET工艺平台，标志着我国在SiC器件领域的技术突破再上新台阶。

idTednc 真正推动SiC技术广泛应用的重要转折点出现在电动汽车领域。特斯拉在其Model 3车型中首次大规模采用了SiC MOSFET，这不仅展示了SiC在汽车电子中的突破性应用，还证明了SiC功率器件在提高车辆能源转换效率、延长续航里程方面的卓越性能。此次成功应用使得 ...

650V 27mΩ/50mΩ及1700V 1Ω SiC MOSFET已实现量产；针对车规级市场，车载充电机、空调压缩机用SiC MOSFET已实现小批量出货，主驱逆变器用SiC MOSFET已在重点 ...