随着人工智能技术的迅速发展，数据中心的处理能力需求也持续飙升，特别是在AI应用方面的应用日益广泛。这一趋势促使电源供应的技术革新需求日益迫切，尤其是在第三代半导体技术中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电源变得尤为重要。本文将深入探讨这两种材料在A ...

英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...

据韩媒4月7日报道，韩国东部高科（DB Hitech）近日透露，已在今年2月通过全自主工艺实现了8英寸SiC晶圆的生产与验证；并同时 开发了8英寸GaN 650V HEMT工艺，计划年内完成可靠性验证。

马自达与罗姆宣布联合开发采用氮化镓（GaN）功率半导体的汽车零部件，利用GaN技术在减少能量损失、实现小型化和提升效率方面的优势，为下一代电动汽车打造创新的电力驱动系统。

在电动汽车市场，GaN和SiC则都有广泛的应用。根据英飞凌的研究，基于GaN的电动车车载充电器和DC-DC转换器将有助于更高的充电效率、功率密度和材料永续性，而且正向20 ...

来源：内容编译自yole，谢谢。 尽管 BEV 出货量暂时放缓，但 SiC市场仍处于长期增长轨道。Yole Group分析师预计，受 2026 年强劲反弹的推动，到 2029 年，功率 SiC 市场规模将超过 100 亿美元。事实上，2024 年至 ...

前言2025年春季亚洲充电展于3月28日在深圳前海国际会议中心启幕，展会吸引了122家企业参展，覆盖电源芯片、功率器件、被动元件及工厂、品牌等快充产业全链路于一体。值得关注的是，本次参展企业中包含14家第三代半导体领域的技术领先企业。这些企业具备深厚 ...

6英寸SiC基板的价格已经低于成本价，销售情况不容乐观。 美国对中国成熟的半导体工艺和第三代碳化硅（SiC）半导体发起301调查，供应链运营商表示，日益严峻的环境似乎更激发了中国制造商突破壁垒的决心。中国主流6英寸SiC基板在2024年大幅降价，迅速引发内部竞争。不过，最近的报告显示，激进的定价策略已经开始放缓。 过去一个季度，海峡两岸供应链均表示，部分中国制造商目前已将 2025 年 8 英寸 ...

Switching energy (E sw) of a 650-V GaN HEMT is measured in a hard switching condition. It can be compared with a 1,200- and 650-V SiC-MOSFETs with the same current rating. In this case ...

Upgrades to Keysight’s double-pulse test systems bring easier and even higher-accuracy measurement of dynamic characteristics of bare wide-bandgap power semiconductor dies. Double-pulse testing ...

It involves connecting GaN hemts in parallel with large silicon IGBTs, and has been branded ‘Combo ICeGaN ‘. “Today, inverters for EV powertrains either use IGBTs which are low cost but inefficient at ...

This breakthrough GaN/SiC technology is a vital component for next-generation defense, aerospace, and sustainable energy ...