随着人工智能技术的迅速发展，数据中心的处理能力需求也持续飙升，特别是在AI应用方面的应用日益广泛。这一趋势促使电源供应的技术革新需求日益迫切，尤其是在第三代半导体技术中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电源变得尤为重要。本文将深入探讨这两种材料在A ...

在这种背景下，云南电力试验研究院此次申请的创新专利，聚焦在Si-SiC混合式MMC的背靠背变流器的设计上，意在通过新材料的运用来优化变流器的性能，进而降低能耗，这无疑是对行业现有技术的有益补充。

与硅（Si）MOSFET相比，SiC MOSFET通常电压更高、导通电阻更低，开关速度更快，某些情况下无法在栅极和源极之间施加足够的负电压。对于这种情况 ...