IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES ...

FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

3月19日，IT之家报道，欧洲先进FD-SOI中试线（技术试点线）项目FAMES日前在当地时间18日正式启动了芯片设计征集计划，目标是实现10nm及7nm全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。