据麦姆斯咨询报道，近日，由日本静冈大学（Shizuoka University）和印度理工学院鲁尔基分校（Indian Institute of Technology Roorkee）组成的研究团队在绝缘体上硅（SOI）场效应晶体管（FET）架构中制备了一种共掺杂硅基单电子晶体管（SET），成功实现了超高灵敏度的短波 ...

未来两年，FAMES FD-SOI试验线将逐步从现有的22nm工艺技术迈向10nm，并进一步挑战7nm节点，显著提升欧洲半导体公司的竞争力。我们在这一过程中，吸引了来自18个国家的企业参与，涵盖了初创公司与跨国巨头的技术激荡与合作。