欧洲创新FD-SOI中试线启动，助力2027年10nm芯片问世
近日，欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES宣布了一项备受瞩目的计划，力图征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息首次由法国媒体ECInews报道，吸引了广泛的关注。FAMES项目协调员Dominique Noguet指出，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片或将在2027年正式面世，代表着欧洲在半导体领域的重要进展。项目计划将依赖于先进的193nm ...
腾讯网2 天
欧洲先进 FD-SOI 中试线启动设计征集，目标 2027 年实现 10nm
IT之家 3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。FAMES ...