来自MSN2 个月
TSV太贵了，制造3D芯片，新办法
也称为互补 FET ( CFET ) 或 3D 堆叠 FET ( 3DS FET ) ，通过在基于 WSe2 的 pMOS 顶部成功生长单晶 MoS2 n 型沟道而不会造成损坏。 我们强调，单晶阵列允许 ...
来自MSN1 个月
清华课题组在二维半导体材料与器件太空环境适应性研究方面取得进展
测试结果表明，基于WSe2和铌掺杂WSe2的材料及FET器件在太空环境暴露后仍保持良好的半导体特性，开关电流比保持在106-107量级，显示出优异的光学和 ...