驱动电路设计 是功率半导体应用的难点，涉及到功率半导体的动态过程控制及器件的保护，实践性很强。为了方便实现可靠的驱动设计，英飞凌的驱动集成电路自带了一些重要的功能，本系列文章以阅读杂谈的方式讲解如何正确理解和应用这些功能，也建议读者收藏和阅读推荐的资料以作参考。

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EasyPIM™ 1B 系列1200 V、15 A 三相输入整流器 PIM（功率集成模块）IGBT 模块采用快速 TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制 4 二极管和 NTC。也可提供预涂热界面材料以及 PressFIT ...

芯导科技SiC SBD混封IGBT产品系列，具有开关频率快、反向恢复损耗极低的特点，应用于光伏和不间断电源领域。 1200V 100A以上大电流产品系列 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，优质碳化硅（SiC）解决方案供应商SemiQ Inc宣布推出QSiC 1200V MOSFET。这是一款第三代SiC器件，可在缩小芯片尺寸的同时提高开关速度和效率。 图片来源：SemiQ 与QSiC的第二代SiC MOSFET相比，该器件体积缩小了20%，并且经过开发，可提高性能并降低高压应用中的开关损耗。SemiQ旨在将其应用于电动汽车充电站、太阳能逆变器、工业电源和感应 ...

官方此前就曾表示，这块1200V SiC碳化硅模块将首发用于 ... 相较于主流的IGBT，对电车续航提升非常明显。 从ET7开始，蔚来就已经在400V平台用上了 ...