High NA EUV突破：英特尔季产3万片，imec 20nm良率90%，美光首用DRAM。 EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要 ...

但芯片制造严重依赖极紫外光刻（EUV）技术，该技术却成为扩大生产规模的关键阻碍。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下线以来，设备、光罩制作以及 ...

然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。 自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深 ...

在竞争对手增强生产能力的同时，美光对EUV采取了谨慎的态度。 美光公司上个月推出了第六代DRAM的原型，成为存储器半导体行业中第一个推出第六 ...

快科技2月25日消息，Intel宣布，ASML首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。初步数据显示，其效率、可靠性比上一代EUV ...