欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。 据FAMES项目的协调员Dominique Noguet介绍，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片有望在2027年面世。这一制程节点将借助193nm ...