图示1-大联大 ... 英飞凌 Op ti MOS 7 是英飞凌开发的第五代沟槽技术，是当今领先的双多晶硅沟槽技术。无引脚封装结合铜夹技术的使用，大幅提高了 产品 的 电流 能力。该系列产品将采用业界先进的300mm薄晶圆技术进行批产。 OptiMOS 7 40V 车规 MOSFET 概况 采用OptiMOS ...

单个MOSFET的电流能力有限，通过并联多个器件可直接提升总电流承载能力。多个器件分担功耗，减少单个器件的温升。MOSFET并联是一种常见的电路设计方法，主要用于提升电流承载能力、降低导通损耗或改善散热性能。 由于负载电流比较大，如果MOSFET并联电路 ...

图示2-大联大友尚基于onsemi产品的6.6kW车载电动汽车充电器方案的场景应用图 本方案采用单全桥LLC拓扑结，搭载onsemi旗下众多出色产品，包括FAN9673Q 3通道交错式CCM PFC IC、FFSP3065A SiC二极管、NCP51705MNTXG SiC MOSFET驱动器、NCV2003SN2T1G低压运算放大器、NCV1077P060G开关稳压 ...

深圳新闻网2025年2月21日讯（记者 张俊达）近日，AIGC软件A股上市公司万兴科技旗下绘图创意软件明星产品亿图图示持续提升AI能力，面向国内用户 ...

近日，AIGC软件A股上市公司万兴科技（300624.SZ）旗下绘图创意软件明星产品亿图图示持续提升AI能力，面向国内用户重磅推出PPT图示创作神器“亿图 ...

图示1-大联大友尚基于onsemi产品的 ... 包括FAN9673Q 3通道交错式CCM PFC IC、FFSP3065A SiC二极管、NCP51705MNTXG SiC MOSFET驱动器、NCV2003SN2T1G低压运算放大器 ...