In semiconductor manufacturing, the 3 nm process is the next die shrink after the 5 nm MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) technology node. South Korean chipmaker Samsung started shipping its 3 nm gate all around (GAA) process, named 3GAA, in mid-2022.

所以从上表中，我们可以看到，5nm工艺节点的Gate Lenght为18nm、3nm为16nm、2.1nm为14nm、1.5nm/1.0nm/0.7nm则均为12nm。 在十几纳米的尺度短沟道效应可以用多种手段来克服，而量子隧穿效应并不明显， 所以说，台积电说自己在2030年将拥有1nm Labeling的芯片，我也完全相信。 事实上，从集成电路发明以来，工艺节点的定义也在不断发生变化，从最初的Gate Length到现在，几乎抛弃了各种真实参数Gate Length/Half Pitch/Fin Pitch等。 虽然当前的工 …

从本文的第一张图就能看出，Intel准备放弃“几nm”的命名方法，该叫“Intel 4”，“Intel 3”。 这也是Intel在明明压力下，不想将就，又想对外界评价的一种救赎尝试吧。

Intel的4年5个工艺节点计划——从Intel 7到Intel 4，到Intel 3，到Intel 20A，再到Intel 18A，则明确了Intel 20A和18A工艺都将在2024年准备就绪，其中Intel 20A理论上应当已经在今年上半年“准备好生产”，IP测试晶圆在fab厂跑过，而下半年则轮到Intel 18A准备就绪。

2017年9月29日，台積電宣布未來3奈米（nm）製程晶圓廠，落腳台灣 台南市的南部科學工業園區，預計最快2022年量產 [3] 。 台積電 於2020年第一季宣布3奈米製程將在2021年試產，並在2022下半年正式量產，其3奈米製程繼續採用 FinFET （鰭式場效電晶體） [ 4 ] 。

2023年2月4日 · 最近有媒体报道称，如果真要按照栅级的宽度来命名纳米工艺，那么台积电、三星的3nm工艺，其栅级实际宽度可能在22nm左右，但现在没人用栅级宽度来命名工艺了。 事实上，我们知道英特尔曾经想严谨的命名的，想保留一下最后的倔强，所以intel的14nm打磨了5年，因为它发现自己工艺的提升，无法与晶体管、栅极对应，所以就不改变工艺节点。 这样就也有了intel的14nm能媲美台积电、三星的10nm，intel的7nm，能媲美台积电的5nm，三星的3nm的 …

2020年1月，三星宣布生产世界上第一个3 nm GAAFET工艺原型，并表示将在2021年实现批量生产。 三星先发制人，台积电神秘前行，英特尔热衷堆叠晶体管 迄今为止，在3nm制程上，业内只有两家公司具有此竞争能力，一家是台积电，另一家是三星。

2023年6月8日 · 台积电的最新节点是其 3 纳米“N3”工艺技术系列。台积电最初计划在 2022 年下半年量产，最终于2022年12月29日在其Fab 18举行了 3 纳米量产和产能扩张仪式。 正如我们在文章《台积电3nm细节全曝光，成本惊人》中详述的那样，台积电正在推出多种“3nm”版本 ...

3 奈米 制程 是 半导体制造 制程 的一个水准，此技术必须使用EUV进行生产。 甚至是高数值孔径极紫外光。 [1] 国际装置与系统发展路线图（IRDS）在2017年曾预计3奈米制程将在2024年量产 [2]。 2017年9月29日， 台积电 宣布未来3 奈米 （nm）制程晶圆厂，落脚 台湾 台南市 的 南部科学工业园区，预计最快2022年量产 [3]。 台积电 于2020年第一季宣布3奈米制程将在2021年试产，并在2022下半年正式量产，其3奈米制程继续采用 FinFET （鳍式场效电晶体） [4]。 2019年5 …

2025年2月16日 · 我们一般说的芯片14nm、10nm、7nm、5nm，指的是芯片的制程工艺，也就是处理内CPU和GPU表面晶体管门电路的尺寸。 一般来说制程 工艺 先进，晶体管的体积就越小，那么相同尺寸的 芯片 表面可以容纳的晶体管数量就越多，性能也就越强！