2025年1月22日 · hbm2：性能飞跃的第二代. 2016 年，hbm2 强势登场，它就像是 hbm 的一位进阶版 “选手”，相较于第一代 hbm，实现了性能的大幅跨越。这一代产品继续沿用了硅通孔（tsv）技术来堆叠 dram 芯片，使得存储密度和带宽进一步提升。

2024年8月7日 · hbm2 是hbm技术的第二代版本，相较于第一代hbm有显著的性能提升。 它使用了硅通孔（TSV）技术来堆叠DRAM芯片，实现了高密度和高带宽。 典型的数据速率为每引脚2 Gbps至3.2 Gbps，总带宽可以达到每秒几百GB。

2024年3月1日 · HBM即高带宽存储， 由多层DRAM Die垂直堆叠，每层Die通过TSV穿透硅通孔技术实现与逻辑Die连接，使得8层、12层Die封装于小体积空间中，从而实现小尺寸于高带宽、高传输速度的兼容，成为高性能AI服务器GPU显存的主流解决方案。 目前迭代至HBM3的扩展版本HBM3E，提供高达8Gbps的传输速度和16GB内存，由SK海力士率先发布，将于2024年量。 HBM主要应用场景为AI服务器，最新一代HBM3e搭载于英伟达2023年发布的H200。 根 …

高带宽内存 （HBM）是一种内存技术，旨在为需要高带宽和低功耗的应用提供高性能和高效率。 HBM 由 HBM 联盟 开发，该联盟包括 AMD、SK 海力士和三星等主要科技公司。 它是一种堆叠内存技术，多个 DRAM（动态随机访问内存）层垂直堆叠在同一芯片上。 这种堆叠方式显著提高了内存带宽，因为数据可以在层之间垂直传输，而不是像传统内存架构那样水平传输。 HBM 技术在高端 GPU 中得到了显著应用，尤其是 AMD 和 Nvidia 的GPU产品。 HBM 提供高带宽和低延 …

HBM 全称为 High Bandwidth Memory，直接翻译即是 高带宽内存，是一款新型的CPU/GPU内存芯片。 其实就是将很多个 DDR芯片 堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。 打个比喻，就是传统的 DDR 就 是 采用的 "平房设计" 方式， HBM 则 是"楼房设计"方式，从而可实现了更高的性能和带宽。 如上图，我们以 AMD最新发布MI300X GPU芯片 布局为例，中间的die是GPU，左右两侧的4个小die就是DDR颗粒的堆叠HBM。 目前，在平面布局 …

HBM2于2016年发布，2018年正式推出，为4层DRAMdie，现在多为8层die，提供256GB/s带宽，2.4Gbps传输速度，和8GB内存；HBM2E于2018年发布，于2020年正式提出，在传输速度和内存等方面均有较大提升，提供3.6Gbps传输速度，和16GB内存。HBM3于2020年发布，2022年正 …

hbm2，作为第二代高带宽显存技术，在性能上实现了显著提升。 相较于第一代HBM，它不仅提供了更高的带宽，还增大了容量，从而满足了高性能计算和图形处理日益增长的需求。

steven woo认为，hbm2与gddr6的最大区别不在于原始性能，而在于设计团队要做怎样的设计妥协。将gddr6与hbm对比，hbm有着明显的带宽优势。到了gddr6就没有那么明显了，因为gddr6的带宽明显提升，不过在某些场合hbm2仍然有优势。 对比不难发现。

通过在更小的空间内实现高带宽、快速数据传输、先进的图形处理和新一代网络连接，三星 HBM2 (高带宽存储器2) Flarebolt 对存储器进行了革新。 了解以大容量、低电压和高带宽，将高性能计算（HPC）提升到新高度的三星 HBM（高带宽存储）解决方案的产品矩阵吧！

HBM 高带宽存储突破性地堆叠 DRAM Die，实现小体积、高带宽和高速传输。 采用 TSV 技术，将多层 Die 连接至逻辑 Die，提供高达 800GB/s 的带宽，满足高性能 AI 服务器 GPU 需求。 SK海力士 发布HBM3E，提供8Gbps传输速度和16GB内存，将于2024年量产。 HBM3E是HBM3的扩展版本，为高性能计算和人工智能应用提供突破性性能。 HBM（高速宽带存储器）以人工智能（AI）服务器为主要应用场景。 最新一代HBM3e已搭载于 英伟达 2023年推出的H200中。 根据 …