2024年12月1日 · n2p和n2x工艺，以及a16节点，代表了芯片设计的飞跃。 这些节点共享关键技术特点，如采用全环栅（GAA）晶体管和高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器。

2025年2月20日 · You are accessing a U.S. Government (USG) Information System (IS) that is provided for USG-authorized use only.

台积电的 a16 工艺技术将依赖于全栅极（gaafet）纳米片晶体管，并将采用背面电源轨，这将改善功率传输并适度提高晶体管密度。与台积电的 n2p 制造工艺相比，在相同的电压和复杂度下，a16 的性能有望提高 8%-10%，或在相同的频率和晶体管数量下，功耗降低 15%-20%。

2024年12月27日 · n2p 是 n2 的 5% 速度增强版，具有完全的 gds 兼容性，目标是在 2025 年完成认证，并于 2026 年实现量产。 从平台角度来看，Geoffrey 提供了有关 N2 NanoFlex技术架构的一些细节。

2023年5月5日 · 台积电的n2制造技术系列将随着更多的变化而扩展，包括具有背面电源传输的n2p和用于 高性能计算 的n2x。在这些即将到来的n2代工艺节点之间，台积电正在制定路线图，以继续其不断提高晶体管性能效率、优化功耗和提高晶体管密度的步伐。

2024年5月29日 · 明年，台积电将再次提供针对智能手机和高性能计算应用的节点：N2P（性能增强的 2 纳米级）和 A16（具有背面供电的 1.6 纳米级）。 与原始 N2 相比，N2P 预计可降低 5% - 10% 的功耗（在相同的速度和晶体管数量下）或提高 5% - 10% 的性能（在相同的功率和晶体管数量下）。 同时，与 N2P 相比，A16 的功耗降低了 20%（在相同的速度和晶体管下），性能提高了 10%（在相同的功率和晶体管下），晶体管密度提高了 10%。 请记住，A16 具有增强的背面 …

2024年11月24日 · 世界最大的晶圆代工厂台积电（TSMC）本周在欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，电子设计自动化（EDA）工具和第三方 IP 模块已为台积电性能增强型的 N2P 和 N2X 制程技术（2 纳米级）做好准备。 这意味着各种芯片设计厂商现在可以基于台积电第二代 2nm 级生产节点开发芯片，从而利用 GAA 晶体管架构和低电阻电容器的优势。

2024年11月25日 · 台积电近期在欧洲开放创新平台论坛上宣布了一项重要进展，其第二代2纳米级制程技术n2p和n2x已准备好迎接电子设计自动化（eda）工具和第三方ip模块的支持。

2024年11月23日 · n2x拥有比n2和n2p更高的fmax电压，确保提供更好的性能，包括数据中心cpu/gpu以及专用的asic。另外n2p和n2x是兼容的，意思是使用n2x的芯片设计公司不必重新开发为n2p设计的任何东西。

台积电N2将如期在2025年下半年进入量产，N2P和A16将于2026年下半年量产，为智能手机和HPC应用提供支持。 魏哲家指出，在智能手机和HPC应用推动下，台积电N2技术在头两年产品设计定案（tape outs）数量将高于N2和N5的同期表现。 其中，N2 顺利在2025年下半年进入量产，量产曲线预计与N3相似，后续也将推出N2P技术作为N2家族延伸，将更具性能及功耗优势，预期2026年下半年量产。 至于更先进的A16制程，计划将采用超级电轨（Super Power Rail或 …