2014年10月31日 · Silicon carbon nitride (SiCN) thin films were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition using hexamethyldisilazane at different nitrogen flow rates. Films were investigated by an atomic force microscope, X-ray diffraction spectroscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, photoluminescence and ...

硅氮烷聚合物是一类以Si—N为主链的无机聚合物，由于其化学结构的特殊性，在高温条件下可转化为 SiCN，SiCNO 或者二氧化硅陶瓷。 因而硅氮烷聚合物在耐高温涂层方面具有重要应用价值。

聚合物转化陶瓷（PDCs）技术，即通过有机高分子聚合物经过高温裂解制备无机陶瓷的技术。常见的陶瓷体系包括SiC、Si3N4、BN、AlN等二元体系，SiCN、SiCO、BCN等三元体系，以及SiCNO、SiBCN、SiBCO、SiAlCN、SiAlCO…

2019年6月19日 · In the past, we demonstrated low temperature bonding using SiCN as interfacial dielectric layer, where we have obtained a bond energy above 2.2 J/m 2 with a post bond annealing process of 250°C. In this work, the composition of SiCN was varied aiming at the identification of the key elements taking part in the bonding mechanism.

SiCN has been considered as a superior dielectric layer. However, the mechanism of SiCN-SiCN bonding has not been clearly described in comparison to SiO 2-SiO 2 bonding. In this study, we investigated the surface and subsurface of dielectric films (SiCN, SiO 2) at several post-process steps to understand their characteristics. Positron ...

2023年3月23日 · 硅碳氮是一种由硅、碳和氮三元化合物组成的半导体材料，具有碳化硅和氮化硅两种材料的优秀光学、电学、磁学、热力学和机械特性。 与之类似，碳化硅是由硅和碳组成的化合物材料，也被称为无机化合物半导体材料。 虽然这两种材料都是由碳化硅制成的，但它们在一些方面存在不同之处。 在相似之处方面，硅碳氮和碳化硅都具有高硬度、高抗磨损性能和高温稳定性，因此被广泛应用于高端工业领域，如机械制造、电子器件和航空航天。 两者的不同之处在 …

Results are presented of recent studies in material exploration for W2W bonding and advanced W2W alignment carried out as a holistic approach to enable a robust ultra-fine pitch interconnect for 3Dsystem-on-chip (SoC) technology.

2024年6月20日 · SICN是半导体材料中的一种，它的全称是硅碳氮（Silicon Carbon Nitride）。 SICN是一种非晶态材料，具有优异的电学、热学、机械学、光学性能，因此在半导体器件制造中得到了广泛应用。

2017年1月25日 · As a kind of wide band gap semiconductor, silicon carbonitride (SiCN) becomes a hot material to research because of its unique electrical, chemical, thermodynamic and mechanical properties. In this paper, SiCN thin films were fabricated by reactive magnetron sputtering method using argon, nitrogen gases, Si target and C target.

硅碳氮(SiCN)是一种新型的宽带隙半导体材料,光学特性优良,在光电子器件领域具有非常广阔的应用前景.不同Si,C,N元素含量的SiCN薄膜的带隙在2.86-5.00 eV范围内连续可调,非常有利于SiCN薄膜在发光二极管,半导体激光器等领域的应用.