氧化銦鎵鋅 （英語： indium gallium zinc oxide， 缩写： IGZO）是一種 LCD 薄膜電晶體 顯示器技術，IGZO結晶最初由 君塚昇 於1985年合成 [1]，1990年代由 東京工業大學 教授 細野秀雄 與 日本 科学技术振兴机构 （JST）共同開發成IGZO透明不定形 氧化物 半導體 技術 [2]。

IGZO（Indium Gallium Zinc Oxide）为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物（Oxide）面板技术的一种。 IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提出在TFT行业中应用。

氧化铟镓锌（IGZO），是第四代半导体材料，是一种薄膜晶体管（TFT）技术，可用作高性能TFT的沟道材料，具有高电子迁移率的特征，可以用来制造高分辨率、低功耗超高清显示面板。 根据《2022-2027年中国氧化铟镓锌（IGZO）行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示，与非晶硅相比，IGZO的电子迁移率更高，能制造体积更小的TFT，生产的显示面板分辨率更高、厚度更薄、能耗更低；与低温多晶硅相比，IGZO同样可实现超高清显示，只是分辨率略低，但人眼难 …

根据图1中TechInsights公布的DRAM Cell Roadmap，基于IGZO TFT的DRAM存储单元将成为支撑DRAM尺寸继续微缩的重要候选技术。 尤其是当下DRAM正处在特征尺寸从 6F^ {2}向4F^ {2}演化的重要节点，包括三星、海力士、长鑫…

Indium gallium zinc oxide (IGZO) is a crystalline semiconducting material, consisting of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O), with a unique atomic arrangement that ensures stable performance.

IGZO的全称是indium gallium zinc oxide，中文名叫氧化铟镓锌。 简单来说，IGZO是一种新型半导体材料，有着比非晶硅（α-Si）更高的电子迁移率。 IGZO用在新一代高性能薄膜晶体管（TFT）中作为沟道材料，从而提高显示面板分辨率，并使得大屏幕OLED电视成为可能。

IGZO（indium gallium zinc oxide）为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料。 IGZO材料由日本东京工业大学细野秀雄最先提出在 TFT行业中应用，目前该材料及技术专利主要由日本厂商拥有，IGZO-TFT技术最先在日本夏普公司实现量产。

氧化铟镓锌（英语：indium gallium zinc oxide，缩写：IGZO）是一种LCD薄膜晶体管显示器技术，IGZO技术由东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）共同开发。

2017年12月11日 · 铟 (Indium) 、镓 (Gallium) 、锌 (Zinc) 、氧 (Oxygen) 构成的非晶半导体的简称。 是一种LCD薄膜晶体管显示器技术，IGZO技术由东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）共同开发。

2022年1月25日 · IGZO是夏普以及中电集团熊猫电子引进的夏普面板线主攻的面板技术路线。 苹果也利用IGZO的快速开关与低漏电特性，改良LTPS背板技术，让LTPS与IGZO线路混和使用组合成新型的LTPO低温多晶氧化物背板技术，成功应用在新一代苹果手表Apple Watch以 …