lEEs of DUV LED-I and DUV LED-II for (a) TE and (b) TM
Using finite-difference time-domain method, the light extraction efficiency (LEE) of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes (DUV LEDs) is investigated. Simulation results show that...
纳米图形衬底对AlGaN基深紫外LED中光子输运的影响 - 知乎
2021年2月22日 · 基于先进的半导体仿真设计平台，我司技术人员开发出了纳米图形衬底（npss）上的深紫外led（duv led）的计算模型。 研究发现：NPSS能够提高DUV LED中横向 …
TM-and TE-polarized LEEs versus inclined angle (α) of sidewall for ...
An inclined sidewall scattering structure with air cavity characterized by a metal bottom and flat parallel top (Bottom_metal) is proposed to enhance the light extraction efficiency (LEE) for...
DUV LED光功率提升20%+，武大、华中大等大学有新进展 - 知乎
2023年2月26日 · 日前，武汉大学和宁波ANN Semiconductor团队使用内部粗糙的蓝宝石和SiO₂抗反射膜改进275nm DUV LED的 光输出功率 ，在350mA时提高了20.85%。 基于AlGaN …
DUV-LED 光源 L16665_C16659 | 滨松光子学 - Hamamatsu
滨松提供 DUV-LED 光源，以 280 nm 的波长发射深紫外光。 这款 DUV-LED 光源能够分别驱动 4 个灯头，但设计紧凑，只有手掌大小。 潜在用途包括具有强灭菌效果的深紫外线灭菌和各种 …
DUV-LED 点光源 | 滨松光子学 - Hamamatsu
滨松提供 DUV-LED 光源，以 280 nm 的波长发射深紫外光。 这款 DUV-LED 光源能够分别驱动 4 个灯头，但设计紧凑，只有手掌大小。 要使用此网站上的所有可用功能，必须在浏览器上启 …
详解：如何提高深紫外LED空穴注入效率_AlGaN - 搜狐
2019年4月4日 · 紫外LED根据发光波长可细分为：UVA LED（320 nm<λ<400 nm）、UVB LED（280 nm<λ<320 nm）、UVC LED（200 nm<λ<280 nm）以及VUV（10 nm<λ<200 …
(a) Full spatial TE/TM mode light intensity distributions of DUV …
(b) Transmission curves versus incident angle in AlN/sapphire interface of DUV-LEDs. from publication: TE/TM mode full-spatial decomposition of AlGaN-based deep ultraviolet light …
科学网-2019年第6期封面文章：河北工业大学张紫辉团队：提高DUV LED空穴注入效率的若干措施 …
紫外LED根据发光波长可细分为：UVA LED（320 nm<λ<400 nm）、UVB LED（280 nm<λ<320 nm）、UVC LED（200 nm<λ<280 nm）以及VUV（10 nm<λ<200 nm），其中DUV LED的 …
深紫外光（Deep ultraviolet, DUV，波长范围约 为200 nm到280 nm）在半导体制造、公共卫生、食 品安全等领域都有着举足轻重的作用[1-4]。随着 “水俣公约”的实施，以汞灯为代表的传统 …
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