2024年11月3日 · mos击穿类型主要分为三种：雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 首先，雪崩击穿是MOS管中常见的一种击穿现象。 它发生在MOS管的漏极和源极之间，当漏极电压过高时，会 …

击穿的意思就是，本来不应该有电流通过的地方，由于加在它两端的电压过高，导致它有了电流通过，并且是大电流通过。 这种情况 就叫击穿 。 我们经常能看到的，比如某一物体还没有接近 …

2023年12月6日 · 击穿电压是使电介质击穿的电压，电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿 …

但这对电子设备中的芯片可就不是好事了。静电电荷积累到一定程度，突然放电时可能产生高达数千伏特的电压，足以击穿芯片内部的微小电路。 那咋分析芯片是否被静电击穿 了呢？首先， …

2024年10月31日 · 绝缘击穿的发生，往往是因为工作电压过高、电流过大、温度过高或机械应力等因素，使绝缘材料承受的压力超出其极限，导致材料结构的破坏。 一旦发生绝缘击穿，绝缘 …

击穿空气需要的是足够的 电场强度 （简称场强），场强的大小与电压并无直接联系。 气体的击穿与环境和空气本身的性质也有关系，比如气压，温度，空气的 电负性 等都是击穿的重要影响 …

2024年9月26日 · 高压电缆头绝缘击穿的原因主要包括绝缘老化、安装工艺不当、外力损伤以及环境因素影响。 首先，绝缘老化是导致高压电缆头绝缘击穿的重要原因之一。电缆在长期运行 …

2024年11月12日 · 电击穿与热击穿是两种不同的固体介质击穿现象，它们的工作原理和特点各不相同。 电击穿是指在强电场作用下，固体介质内部少量可自由移动的载流子（如电子）会剧烈 …

热击穿（二次击穿）则与电流有关，当正向导通时，电流超过一定限值（图示绿色区域之外），器件会发生热烧毁。 在 MOSFET （金属氧化物半导体场效应晶体管）中，漏源击穿电压BVDS …

为什么mosfet的BVdss在不同电流下的值不同存在软击穿的情况，通入小电流下BV会小一些反之相反？ Dlt BV在90V左右很迷惑，我认为就是软击穿导致的IDss失效但是原因希望大家可以为我 …