碳化硅（SiC）是一种具有多型晶（polytypes）结构的宽禁带半导体材料，其主要多型晶包括4H-SiC、 6H-SiC 和 3C-SiC 。每种多型晶的晶体结构和物理性质有所不同，这对其在电子器件中的应用有重要影响。

同时期的硅晶圆已经由200mm（8英寸）向300mm（12英寸）进发，但碳化硅晶圆的主流尺寸一直是150mm（6英寸），每片晶圆能制造的芯片数量不大，远不能满足下游需求。真的这么难吗？

2023年4月13日 · 另一个技术难点在于碳化硅的良率：在获得碳化硅衬底的晶体生长过程中，传统的硅材料只需3天就可以长成一根晶棒，而碳化硅晶棒需要7天，这就导致碳化硅生产效率天然地更低。

2025年1月25日 · 目前制作碳化硅晶棒一直比较困难，科学家们正在加紧研究更有效的方法， 3. 如何制作碳化硅晶片. 碳化硅晶棒切割成很薄的晶片是为了制作半导体器件，切割打磨的过程同于硅晶棒的过程。 4. 如何制作碳化硅薄层. 碳化硅的绝缘散热效果非常好。

2024年4月30日 · 晶体加工：通过晶锭加工、晶棒切割、研磨、抛光、清洗等环节，将碳化硅晶棒加工成衬底。 SiC衬底的制备难度大，主要存在以下技术难点：

苏州恒迈瑞作为4英寸6英寸碳化硅晶棒(应用于SiC衬底晶片)以及SiC碳化硅单晶棒，碳化硅晶锭的专业生产厂家和供应商，可为客户定制提供高品质导电型(N型）碳化硅晶棒和4H-SI半绝缘型SiC碳化硅晶锭以用于碳化硅衬底片的多线切割测试（D级Dummy Grade）。

2022年7月28日 · 就产业界所采用的制程来说，SiC长晶三大技术壁垒分别为“长晶条件”、“生长速度”、以及“缺陷密度”。目前SiC气相生长温度须在2,300℃以上、压力约为350MPa，而硅仅需1,600℃左右即可。

经过单晶生长获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工…

2024年1月16日 · 碳化硅从材料到半导体功率器件会经历单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。在合成碳化硅粉后，先制作碳化硅晶锭，然后经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底，经外延生长得到外延片。

2025年2月23日 · 碳化硅（SiC），一种由碳元素和硅元素结合而成的半导体材料，因其耐高温、耐高频以及耐高压的特性而被广泛应用于多个领域。在近期的一场汽车技术发布会上，SiC电控模块成为了焦点，展现了其在现代技术中的不可或缺的地位。 ... 立方晶系是一种特殊的 ...