
MPX104K31C3KN15600_KNSCHA(科尼盛)_MPX104K31C3KN15600 …
下载MPX104K31C3KN15600中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有安规电容详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
EV103-N-00A evaluation board provides a reference design for a universal offline inductor-less power supply with 5V, 60mA output.
MEX104K275A41_TENTA (天泰)_MEX104K275A41中文资料_PDF手 …
tenta(天泰) mex104k275a41参数名称:容值:100nf;精度:±10%;工作电压(ac):275v;防护等级:x2。 下载MEX104K275A41中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有安规电容详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
100nF/50V C4 2K R1 R216.2K C5 22uF/50V C6 330uF/35V D6 ES1J 6.8K R3 GND 2.2mH L1 ACL ACN 15V GND F1 10R/1W 2.2uF/25V C7 100nF/50V C8 RV1 NC 0.1uF CX1. BPS Confidential 6 BOM 序号 元件标号 参数描述 封装尺寸 数量 ... 100nF/50V …
To reduce these influences, please arrange CX1 within 5mm from VDDV terminal, and wire between VDDV terminal, CX1 and GND terminal as close as possible. Also, the wiring of VDDV is separated from VDD and VDDIO terminals,
DigiKey DIY原创大赛】基于反激式开关电源的手机充电器设计( …
X电容容值一般在几十nF到几百nF,这里选择100nF,电压根据输入电压选择,输入电压可以达到264V,所以可选择400V。 R15、R16、R17主要作用是X电容泄放电阻,提供泄放回路。
CX1 and LM1 are the input filters to guarantee the conducted EMI meet EN55022 standard. CY1 also helps with conducted EMI suppression. C4 is the input bulk capacitor. R10, R11, C6, and D2 compose primary side snubber. It absorbs the leakage inductance energy when MOSFET turns off, so that to restrain the high spike.
SM7352P 通过导通控制模块控制功率MOSFET 的关断,通过FB 电压过零检测模块来控制MOSFET 的开启; 在功率MOSFET 开启瞬间, 电流检测电阻CS 上就不可避免的产生或高或低的尖峰毛刺。 为了避免这些尖峰信号使控制器误动作,芯片在开启瞬间内置了前沿消隐时间,在这段前沿消隐的时间内,GATE输出驱动也就不会被关断。 SM7352P 高功率因数LED 恒流驱动控制开关QSOBIAV1.3. 购买时请认清公司商标,如有疑问请与公司本部联系。 在电路设计时请不要超过器件的绝对最 …
7 CX1 100nf 400V 2 CF2, CF3 10nf 400V 1 CF1 10nf 400V 5 CC, CX1 100nf 100V 10 CX 100nf 50V 9 CX 1206 100nf SMT 1 CS 510pf Ceramic 4 FB 1206 Ferrite bead 1 CT 1uf Tantalum 73s Dinesh Gajjar / 241024 . Title: pa100-partslist Author: DVG Subject: PA100 Parts List Keywords:
CC0603KRX7R9BB104_YAGEO(国巨)_CC0603KRX7R9BB104中文资 …
YAGEO (国巨) CC0603KRX7R9BB104参数名称:容值:100nF;精度:±10%;额定电压:50V;温度系数:X7R。 下载CC0603KRX7R9BB104中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,有贴片电容 (MLCC)详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程。