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GLOBALFOUNDRIES Extends FDX™ Roadmap with 12nm FD-SOI …
2016年9月8日 · GF’s new 12FDX technology is specifically architected to deliver these unprecedented levels of system integration, design flexibility, and power scaling. 12FDX sets a new standard for system integration, providing an optimized platform for combining radio frequency (RF), analog, embedded memory, and advanced logic onto a single chip.
全球快递国际托运服务 | FedEx 中国
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格芯使用12纳米FD-SOI技术扩展FDX™路线图 - GlobalFoundries
2016年9月8日 · 格芯的新型12FDX技术建立在12nm全耗尽绝缘体（FD-SOI）平台上，能够实现10nm FinFET的性能，同时具有比16nm FinFET更少的功耗和更低的成本。 该平台提供了全节点的扩展能力，相比现今的FinFET技术，提供15％的性能提升，并节省达50％的功耗。 “芯片制造业已不再是一体化的。 虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但是对于许多追求性价比的移动产品和物联网产品，其行业产品路线图并不是太清晰。 这些产品需要尽可能低的功耗，同时能有 …
格罗方德半导体推出12nm FD-SOI工艺，拓展FDX路线图
2016年9月9日 · 格罗方德半导体全新的12FDX工艺基于一个12nm全耗尽平面晶体管（FD-SOI）平台，能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。 该平台支持全节点缩放，性能比现有FinFET工艺提升了15%，功耗降低了50%。 林利集团的创始人兼首席分析师Linley Gwennap评价说：“芯片制造已经不再是将某一个微缩工艺用于一切产品。 虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但对于许多成本敏感型的移动和物联网产品来说，其要求以尽可能低的功耗 …
GLOBALFOUNDRIES Unveils 12nm FD-SOI Process Node
GLOBALFOUNDRIES’ new 12FDX technology is specifically architected to deliver these unprecedented levels of system integration, design flexibility, and power scaling. 12FDX sets a new standard for system integration, providing an optimized platform for combining radio frequency (RF), analog, embedded memory, and advanced logic onto a single chip.
GLOBALFOUNDRIES利用12纳米FD-SOI技术扩展FDX™路线图
2016年9月8日 · gf新的12fdx技术建立在12纳米全耗尽的绝缘体上硅(fd-soi)平台上，实现了10纳米finfet的性能，与16纳米finfet相比，功耗更低，成本更高。 该平台提供了整整一个节点的扩展优势，与当今的FinFET技术相比，性能提升15%，功耗降低50%之多。
格罗方德推12纳米FD-SOI工艺，FDX平台吸引力与限制各在何处？
2016年9月9日 · 9月8日格罗方德（GlobalFoundries）公布了全新的12纳米全耗尽平面晶体管（FD-SOI）工艺平台12FDX，该平台性能媲美10纳米FinFET工艺，功耗和成本却低于16纳米FinFET工艺。
格罗方德推出12nm FD-SOI工艺，拓展FDX路线图-电子头条 …
2016年9月9日 · 格罗方德半导体全新的12FDX工艺基于一个12nm全耗尽平面晶体管（FD-SOI）平台，能够以低于16nm FinFET的功耗和成本提供等同于10nm FinFET的性能。 该平台支持全节点缩放，性能比现有FinFET工艺提升了15%，功耗降低了50%。 目前，格罗方德位于德国德累斯顿的正在全力准备进行12FDX平台的研发活动和后续生产。 客户流片预计将于2019年上半年启动。 中科院院士、上海微系统与信息技术研究所所长王曦博士表示：“我们为格罗方德半导体 …