Infineon’s extensive portfolio of 12 V-40 V N-channel MOSFETs are small and compact and include OptiMOS™ and StrongIRFET™ technologies for low-, medium-, and high-power applications. The low-voltage 12 V-40 V MOSFET product range includes 20 V N-channel power MOSFETs, 30 V N-channel MOSFETs, and 40 V N-channel MOSFETs.

TI 的 CSD13380F3 是一款 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET。查找参数、订购和质量信息

PMCM4401VNE - N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a 4 bumps Wafer Level Chip-Size Package (WLCSP) using Trench MOSFET technology.

TI’s CSD13202Q2 is a 12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 9.3 mOhm. Find parameters, ordering and quality information

12 V MOSFETs are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for 12 V MOSFETs.

英飞凌 12 V-40 V N 沟道 MOSFET 小巧紧凑，品类齐全，包含适用于低、中、高功率应用的OptiMOS™ 及 StrongIRFET™ 技术系列，打造出既能优化热性能，又可在减少占板面积的同时增强额定电流的紧凑型解决方案。

CSD13202Q2 12V N 沟道 NexFETTM 功率 MOSFET datasheet (Rev. A) 此12V、7.5mΩ NexFETTM 功率MOSFET旨在最大限度降低功率转换和负载管理应用中的损耗。 该SON 2 × 2 封装尺寸可提供出色的热性能。 RθJA = 45°C/W, 这是在一块厚度为0.06 英寸环氧树脂(FR4)印刷电路板(PCB) 上的1 平方英寸,2 盎司覆铜上测得的值。 脉冲持续时间10μs, 占空比≤ 2%。

N-Channel 12 V MOSFETs are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for N-Channel 12 V MOSFETs.

这一联合产品系列涵盖12v至300v mosfet，可满足从各高低开关频率的各种需求。 StrongIRFET™现在很好的补充英飞凌的OptiMOS™功率MOSFET产品系列，而创造了一个完整强大的组合。

该 12V、15mΩ N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经 过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移 动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。 0.77 mm 0.36 mm 1.53 mm 典型器件尺寸.... 产品概要 TA = 25°C 典型值 单位 VDS 漏源 ...