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JSMSEMI(杰盛微) 1N5819WS S4参数名称：二极管配置：独立式；正向压降(Vf)：600mV@200mA；直流反向耐压(Vr)：40V；整流电流：350mA；反向电流(Ir)：5uA@30V。 下载1N5819WS S4中文资料、引脚图、Datasheet数据手册，有肖特基二极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法 ...

Description: Schottky Barrier Diodes. Manufacturer: Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd.

Low Forward Voltage Drop. Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.) Electrical Characteristics (Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified).

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STMicroelectronics公司的1N5819是一款轴向引线低压降肖特基整流器,DO-41封装.该产品具有非常小的传导损耗,可忽略不计的开关损耗,极快的开关速度与低正向压降.适用于开关模式电源,高频DC至DC转换器,高频逆变器,续流,极性保护与小型电池充电器. 立创商城1N5819型号页面提供型号详细中文资料，PDF数据手册在线查看和下载,中文参数，引脚图，代替型号和在线购买等信息。 买1N5819型号,上立创商城.

1n5819ws系列肖特基二极管,产品采用sod-323标准封装,稳定性强,可靠性高，漏电流小，非常适合反向极性保护、低压整流以及dc-dc转换功率管理应用,典型应用于工业控制、网络通讯、新能源、储能以及消费类电子等领域。

1N5819WS 1/5 R FEATURES For Use In Low Voltage, High Frequency Inverters Free Wheeling, and Polarity Protection Applications MECHANICAL DATA Encapsulation: SOD-323 Small Outline Plastic Package Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any APPROVALS Compliance with 2011/65/EU HF RoHS Compliance with IEC61249-2-21:2003

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