In semiconductor manufacturing, the 2 nm process is the next MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) die shrink after the 3 nm process node. …

根据电气和电子工程师协会 (IEEE) 发布的 2021 年更新的 《国际设备和系统路线图》 中的预测，「2.1 nm 节点范围标签」预计接触栅极间距为 45 nm，最紧密金属间距为 20 nm。

在 半导体产业 中， 2納米制程 是在 3纳米制程 技術水準之后的下一个 半导体制造 制程。 台积电 和 三星 皆規劃於2025年量產， 英特尔 最早宣布2027年量產，在更改節點命名後20A製程預 …

2023年12月22日 · 根据集邦咨询报道，台积电正在积极推进 2nm 工艺节点，首部机台计划 2024 年 4 月进厂。 而台积电和三星都计划 2025 年开始量产 2nm 工艺芯片，双方争夺战已经打响 …

在半导体制造中，2nm工艺是继3nm工艺节点之后的下一个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）芯片微缩技术。 “2nm”或“20埃”（英特尔使用的术语）与晶体管的任何实际物理特征（ …

2021年1月7日 · 2nm、3nm、7nm是指处理器的 蚀刻尺寸。 简单的讲，就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。 芯片为什么要做得那么小? 华为 麒麟芯片 停产，是因 …

【CNMO新闻】5月6日，知名IT巨头IBM（国际商业机器公司）宣布，该公司已开发出全球首个采用2nm技术的芯片，在半导体设计上实现了突破。 CNMO了… 新闻报道的几nm芯片工艺包含 …

2022年8月25日 · 总之，传统上以纳米(nm)为单位指定计算机处理单元（如CPU和GPU）上晶体管的尺寸和间距。 并且即使二维测量单位在现代芯片中不再真正有意义，5nm、3nm和2nm等名 …

2024年12月9日 · For TSMC, Geoffrey Yeap and colleagues report a 2 nm logic platform. Based on gate-all-around nanosheet transistors, it features a scalable copper-based redistribution …

2nm的GAA（环绕栅极晶体管）技术，首次使用底介电隔离通道，它可以实现12 nm的栅长，其内部间隔是第二代干法设计，有助于纳米片的开发。 这也是第一次使用 EUV曝光 FEOL部分过 …